Loading...

Thursday, 1 December 2011

ORGANISASI DRAM TINGKAT LANJUT


. Bentuk diagram blok dasar memori utama masih berupa keping DRAM.
Ø  Keping DRAM tradisional memiliki kendala dalam hal arsitektur internal, olah interface, dan interface untuk bus memori prosesor.
2. Enhanced DRAM
Ø  Arsitektur DRAM baru yang paling sederhana è enhanced DRAM (EDRAM)
Ø  Dibuat oleh Ramtron [BOND94]. EDRAM mengintegrasikan cache SRAM yang kecil pada keping DRAM generik.
Ø  Memori akses acak statik (bahasa InggrisStatic Random Access MemorySRAM) adalah sejenis memori semikonduktor. Kata "statik" menandakan bahwa memori memegang isinya selama listrik tetap berjalan, tidak seperti RAM dinamik (DRAM) yang membutuhkan untuk "disegarkan" ("refreshed") secara periodik. Hal ini dikarenakan SRAM didesain menggunakan transistor tanpa kapasitor. Tidak adanya kapasitor membuat tidak ada daya yang bocor sehingga SRAM tidak membutuhkan refresh periodik. SRAM juga didesain menggunakan desain cluster enam transistor untuk menyimpan setiap bit informasi. Desain ini membuat SRAM lebih mahal tapi juga lebih cepat jika dibandingkan dengan DRAM. Secara fisik chip, biaya pemanufakturan chip SRAM kira kira tiga puluh kali lebih besar dan lebih mahal daripada DRAM. Tetapi SRAM tidak boleh dibingungkan dengan memori baca-saja dan memori flash, karena ia merupakan memori volatil dan memegang data hanya bila listrik terus diberikan. Akses acak menandakan bahwa lokasi dalam memori dapat diakses, dibaca atau ditulis dalam waktu yang tetap tidak memperdulikan lokasi alamat data tersebut dalam memori. Chip SRAM lazimnya digunakan sebagai chace memori , hal ini terutama dikarenakan kecepatannya. Saat ini SRAM dapat diperoleh dengan waktu akses dua nano detik atau kurang , kira kira mampu mengimbangi kecepatan processor 500 MHz atau lebih.
Ø  EDRAM mencakup beberapa feature lainnya yang dapat meningkatkan kinerja.
3. Cache DRAM
Ø  Cache DRAM (CDRAM) è dibuat oleh Mitsubishi [HIDA90] = EDRAM.
Ø  CDRAM mencakup cache SRAM cache SRAM yang lebih besar dari EDRAM (16 vs 2 kb).
4. Synchronous DRAM
Ø  Pendekatan yang berbeda è meningkatkan kinerja DRAM è synchronous DRAM (SDRAM)
Ø  SDRAM è bertukar data dengan prosesor yang disinkronkan dengan signal pewaktu eksternal dan bekerja dengan kecepatan penuh bus prosesor/memori tanpa mengenal keadaan wait.
Ø  Dengan menggunakan akses sinkron. DRAM memindahkan data ke dalam dan keluar di bawah kontrol waktu sistem. 












5. Rambus DRAM
Ø  RDRAM è menggunakan pendekatan terhadap masalah memory-bandwidt yang lebih revolusioner.
Ø  Keping-keping RDRAM dikemas secara vertikal dengan seluruh pin-nya di salah satu sisi.
Ø  Bus DRAM khusus memberikan alamat dan informasi kontrol dengan menggunakan protokol berorientasi blok yang asinkron.
6. Ram Link
Ø  Perubahan yang paling radikal dari DRAM tradisional è produk Ramlink [GJES92] è dibuat IEEE yang disebut Scalable Coherent Interface (SCI).
Ø  RamLink berkonsentrasi pada interface prosesor/memori dibandingkan pada arsitektue internal keping DRAM.
Ø  RamLink adalah memory interface yang memiliki koneksi point-point yang disusun dalam bentuk cincin.

0 comments: